HY1203S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1203S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HY1203S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1203S даташит

 ..1. Size:710K  hymexa
 hy1203s.pdf pdf_icon

HY1203S

HY1203S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/12A D D RDS(ON) = 7.5 m (typ.)@VGS = 10V D D RDS(ON) = 9.0 m (typ.)@VGS = 4.5V Avalanche Rated S S S Reliable and Rugged G Lead Free Devices Available SOP-8 Applications Power Management in DC/DC Converter N-Channel MOSFET Switching application Ordering and Marking In

Другие IGBT... HY0910D, HY0910U, HY0910V, HY0C20C, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S, HY1106S, MMIS60R580P, HY1210D, HY1210U, HY1210V, HY12P03C2, HY12P03S, HY1303C, HY1310D, HY1310U