Справочник MOSFET. HY1203S

 

HY1203S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1203S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HY1203S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1203S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  hymexa
 hy1203s.pdf pdf_icon

HY1203S

HY1203S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/12A DDRDS(ON) = 7.5 m(typ.)@VGS = 10V DDRDS(ON) = 9.0 m(typ.)@VGS = 4.5V Avalanche Rated SSS Reliable and Rugged G Lead Free Devices Available SOP-8Applications Power Management in DC/DC Converter N-Channel MOSFET Switching application Ordering and Marking In

Другие MOSFET... HY0910D , HY0910U , HY0910V , HY0C20C , HY10P10D , HY10P10U , HY1103S , HY1106S , 2N7002 , HY1210D , HY1210U , HY1210V , HY12P03C2 , HY12P03S , HY1303C , HY1310D , HY1310U .

History: SSM4226GM | QM4001D | HGB195N15S | STD5407NT4G

 

 
Back to Top

 


 
.