HY1210D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY1210D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1210D

HY1210D Datasheet (PDF)

..1. Size:2410K hymexa
hy1210d hy1210u hy1210v.pdf

HY1210D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturePin Description 100V/26ARDS(ON)= 32m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON) = 34m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche TestedSSD Reliable and RuggedDGG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management for Inverter SystemsN-Channel MO

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Liste

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