HY1210D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY1210D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 72 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 38 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO252
HY1210D Datasheet (PDF)
..1. Size:2410K hymexa
hy1210d hy1210u hy1210v.pdf
hy1210d hy1210u hy1210v.pdf
HY1210D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturePin Description 100V/26ARDS(ON)= 32m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON) = 34m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche TestedSSD Reliable and RuggedDGG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management for Inverter SystemsN-Channel MO
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
