HY1210V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1210V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO251

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HY1210V datasheet

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HY1210V

HY1210D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/26A RDS(ON)= 32m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON) = 34m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested S S D Reliable and Rugged D G G Halogen Free and Green Devices Available S D (RoHS Compliant) G TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management for Inverter Systems N-Channel MO

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