Справочник MOSFET. HY1210V

 

HY1210V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1210V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HY1210V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1210V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2410K  hymexa
 hy1210d hy1210u hy1210v.pdf pdf_icon

HY1210V

HY1210D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturePin Description 100V/26ARDS(ON)= 32m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON) = 34m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche TestedSSD Reliable and RuggedDGG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management for Inverter SystemsN-Channel MO

Другие MOSFET... HY0C20C , HY10P10D , HY10P10U , HY1103S , HY1106S , HY1203S , HY1210D , HY1210U , AO4468 , HY12P03C2 , HY12P03S , HY1303C , HY1310D , HY1310U , HY1310V , HY1403D , HY1403U .

History: NVMFD5C466NL | APT50M50L2LLG | JCS7HN60F

 

 
Back to Top

 


 
.