HY1210V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1210V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HY1210V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1210V даташит

 ..1. Size:2410K  hymexa
 hy1210d hy1210u hy1210v.pdf pdf_icon

HY1210V

HY1210D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/26A RDS(ON)= 32m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON) = 34m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested S S D Reliable and Rugged D G G Halogen Free and Green Devices Available S D (RoHS Compliant) G TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management for Inverter Systems N-Channel MO

Другие IGBT... HY0C20C, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S, HY1106S, HY1203S, HY1210D, HY1210U, 60N06, HY12P03C2, HY12P03S, HY1303C, HY1310D, HY1310U, HY1310V, HY1403D, HY1403U