HY1303C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1303C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 253 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de HY1303C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY1303C datasheet

 ..1. Size:526K  hymexa
 hy1303c.pdf pdf_icon

HY1303C

HY1303C Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D D D 30V/ 30A RDS(ON)= 4.2 m (typ.) @ VGS=10 V RDS(ON)= 5.5 m (typ.) @ VGS 4.5V High Cell Desity for low Rds(on) Halogen Device Available G S S S Pin1 DFN3*3-8L Applications Battery pack protection Power tool Ordering and Marking Information Single N-Channel MOSFET Pa

Otros transistores... HY1103S, HY1106S, HY1203S, HY1210D, HY1210U, HY1210V, HY12P03C2, HY12P03S, IRF730, HY1310D, HY1310U, HY1310V, HY1403D, HY1403U, HY1403V, HY1503C1, HY1506C2