HY1303C Todos los transistores

 

HY1303C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1303C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 253 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HY1303C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  hymexa
 hy1303c.pdf pdf_icon

HY1303C

HY1303CSingle N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin DescriptionD D D D 30V/ 30ARDS(ON)= 4.2 m(typ.) @ VGS=10 VRDS(ON)= 5.5 m(typ.) @ VGS 4.5V High Cell Desity for low Rds(on) Halogen Device AvailableG S S S Pin1 DFN3*3-8L Applications Battery pack protectionPower toolOrdering and Marking InformationSingle N-Channel MOSFETPa

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS15N70F | IRFZ24L | 2SK957-01 | 2SK1601 | NTD3055-094-1G | SRC7N65DTR

 

 
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