HY1303C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY1303C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 253 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3-8L
HY1303C Datasheet (PDF)
..1. Size:526K hymexa
hy1303c.pdf
hy1303c.pdf
HY1303CSingle N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin DescriptionD D D D 30V/ 30ARDS(ON)= 4.2 m(typ.) @ VGS=10 VRDS(ON)= 5.5 m(typ.) @ VGS 4.5V High Cell Desity for low Rds(on) Halogen Device AvailableG S S S Pin1 DFN3*3-8L Applications Battery pack protectionPower toolOrdering and Marking InformationSingle N-Channel MOSFETPa
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
