Справочник MOSFET. HY1303C

 

HY1303C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1303C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для HY1303C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1303C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  hymexa
 hy1303c.pdf pdf_icon

HY1303C

HY1303CSingle N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin DescriptionD D D D 30V/ 30ARDS(ON)= 4.2 m(typ.) @ VGS=10 VRDS(ON)= 5.5 m(typ.) @ VGS 4.5V High Cell Desity for low Rds(on) Halogen Device AvailableG S S S Pin1 DFN3*3-8L Applications Battery pack protectionPower toolOrdering and Marking InformationSingle N-Channel MOSFETPa

Другие MOSFET... HY1103S , HY1106S , HY1203S , HY1210D , HY1210U , HY1210V , HY12P03C2 , HY12P03S , BS170 , HY1310D , HY1310U , HY1310V , HY1403D , HY1403U , HY1403V , HY1503C1 , HY1506C2 .

History: MTP5614N6 | DH100P40 | NCE6005AN | GP1M009A090N | HMS28N65D | 10N65KG-TA3-T | FDP14AN06LA0

 

 
Back to Top

 


 
.