HY1303C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1303C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для HY1303C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1303C даташит

 ..1. Size:526K  hymexa
 hy1303c.pdf pdf_icon

HY1303C

HY1303C Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D D D 30V/ 30A RDS(ON)= 4.2 m (typ.) @ VGS=10 V RDS(ON)= 5.5 m (typ.) @ VGS 4.5V High Cell Desity for low Rds(on) Halogen Device Available G S S S Pin1 DFN3*3-8L Applications Battery pack protection Power tool Ordering and Marking Information Single N-Channel MOSFET Pa

Другие IGBT... HY1103S, HY1106S, HY1203S, HY1210D, HY1210U, HY1210V, HY12P03C2, HY12P03S, IRF730, HY1310D, HY1310U, HY1310V, HY1403D, HY1403U, HY1403V, HY1503C1, HY1506C2