Справочник MOSFET. HY1303C

 

HY1303C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1303C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для HY1303C

 

 

HY1303C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  hymexa
 hy1303c.pdf

HY1303C HY1303C

HY1303CSingle N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin DescriptionD D D D 30V/ 30ARDS(ON)= 4.2 m(typ.) @ VGS=10 VRDS(ON)= 5.5 m(typ.) @ VGS 4.5V High Cell Desity for low Rds(on) Halogen Device AvailableG S S S Pin1 DFN3*3-8L Applications Battery pack protectionPower toolOrdering and Marking InformationSingle N-Channel MOSFETPa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top