HY1403V Todos los transistores

 

HY1403V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1403V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 251 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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HY1403V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1533K  hymexa
 hy1403d hy1403u hy1403v.pdf pdf_icon

HY1403V

HY1403D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 30V/42ARDS(ON) = 10 m(typ.) @VGS =- 10VRDS(ON) = 14 m(typ.) @VGS = -4.5VSSD SD S 100% Avalanche TestedG DG D GG Reliable and RuggedSSDD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching Application Power Man

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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