HY1403V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1403V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HY1403V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1403V даташит

 ..1. Size:1533K  hymexa
 hy1403d hy1403u hy1403v.pdf pdf_icon

HY1403V

HY1403D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/42A RDS(ON) = 10 m (typ.) @VGS =- 10V RDS(ON) = 14 m (typ.) @VGS = -4.5V S S D S D S 100% Avalanche Tested G D G D G G Reliable and Rugged S S D D G Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching Application Power Man

Другие IGBT... HY12P03C2, HY12P03S, HY1303C, HY1310D, HY1310U, HY1310V, HY1403D, HY1403U, IRF540N, HY1503C1, HY1506C2, HY15P03C2, HY15P03S, HY1603D, HY1603U, HY1603S, HY1603P