Справочник MOSFET. HY1403V

 

HY1403V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1403V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HY1403V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1403V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1533K  hymexa
 hy1403d hy1403u hy1403v.pdf pdf_icon

HY1403V

HY1403D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 30V/42ARDS(ON) = 10 m(typ.) @VGS =- 10VRDS(ON) = 14 m(typ.) @VGS = -4.5VSSD SD S 100% Avalanche TestedG DG D GG Reliable and RuggedSSDD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching Application Power Man

Другие MOSFET... HY12P03C2 , HY12P03S , HY1303C , HY1310D , HY1310U , HY1310V , HY1403D , HY1403U , IRF540 , HY1503C1 , HY1506C2 , HY15P03C2 , HY15P03S , HY1603D , HY1603U , HY1603S , HY1603P .

History: SI4401DY | AON6414AL | BUK7M9R9-60E | SUP60N10-18P | SVGP20110NSTR | PMV185XN | AP4P013LES

 

 
Back to Top

 


 
.