SSS1N60A Todos los transistores

 

SSS1N60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSS1N60A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de SSS1N60A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSS1N60A datasheet

 ..1. Size:213K  1
 sss1n60a.pdf pdf_icon

SSS1N60A

 7.1. Size:4013K  shenzhen
 sss1n60.pdf pdf_icon

SSS1N60A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS1N60 SSS1N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 8.5 @VGS = 10 V transistors are produced using proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been

 9.1. Size:215K  1
 sss1n50a.pdf pdf_icon

SSS1N60A

Otros transistores... SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , IRLZ44N , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.