SSS1N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSS1N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSS1N60A

SSS1N60A Datasheet (PDF)

..1. Size:213K 1
sss1n60a.pdf

7.1. Size:4013K shenzhen
sss1n60.pdf

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS1N60SSS1N60 600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 8.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been

9.1. Size:215K 1
sss1n50a.pdf

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Liste

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