SSS1N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSS1N60A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SSS1N60A
SSS1N60A Datasheet (PDF)
sss1n60.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS1N60SSS1N60 600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 8.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been
Другие MOSFET... SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , IRFP260N , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS .
History: FRM130D | IXTH24N45MB | IXTH42N15MA | IXTM10N100 | BUK7608-55 | IXTH39N08MB
History: FRM130D | IXTH24N45MB | IXTH42N15MA | IXTM10N100 | BUK7608-55 | IXTH39N08MB
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015