SSS1N60A - описание и поиск аналогов

 

SSS1N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSS1N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSS1N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS1N60A даташит

 ..1. Size:213K  1
 sss1n60a.pdf pdf_icon

SSS1N60A

 7.1. Size:4013K  shenzhen
 sss1n60.pdf pdf_icon

SSS1N60A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS1N60 SSS1N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 8.5 @VGS = 10 V transistors are produced using proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been

 9.1. Size:215K  1
 sss1n50a.pdf pdf_icon

SSS1N60A

Другие MOSFET... SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , IRLZ44N , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.