Справочник MOSFET. SSS1N60A

 

SSS1N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSS1N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SSS1N60A

 

 

SSS1N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  1
 sss1n60a.pdf

SSS1N60A SSS1N60A

 7.1. Size:4013K  shenzhen
 sss1n60.pdf

SSS1N60A SSS1N60A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS1N60SSS1N60 600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 8.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been

 9.1. Size:215K  1
 sss1n50a.pdf

SSS1N60A SSS1N60A

Другие MOSFET... SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , IRF640N , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS .

 

 
Back to Top