HY1710M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY1710M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
HY1710M Datasheet (PDF)
hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf

HY1710P/M/B/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/70ARDS(ON)= 15m(typ.)@VGS = 10VSDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and RuggedSDG Lead- Free Devices AvailableTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3S(RoHS Compliant)Applications SD Switching applicationGSSD Power management for inverter systems DGGTO-220M
Otros transistores... HY1607U , HY1607V , HY1607M , HY1607B , HY1607MF , HY1607PS , HY1607PM , HY1710P , 7N65 , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , HY1803C2 , HY1804D .
History: TSM900N06CP | SI7415DN
History: TSM900N06CP | SI7415DN



Liste
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