Справочник MOSFET. HY1710M

 

HY1710M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1710M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY1710M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1710M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1249K  hymexa
 hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf pdf_icon

HY1710M

HY1710P/M/B/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/70ARDS(ON)= 15m(typ.)@VGS = 10VSDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and RuggedSDG Lead- Free Devices AvailableTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3S(RoHS Compliant)Applications SD Switching applicationGSSD Power management for inverter systems DGGTO-220M

Другие MOSFET... HY1607U , HY1607V , HY1607M , HY1607B , HY1607MF , HY1607PS , HY1607PM , HY1710P , 7N65 , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , HY1803C2 , HY1804D .

History: FDT3N40TF | HGP042N10AL | SQ3427EV | SM4146T9RL | DSK5J01X0L | BSZ160N10NS3 | BSC093N04LSG

 

 
Back to Top

 


 
.