HY1720B Todos los transistores

 

HY1720B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1720B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 263 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 338 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HY1720B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1397K  hymexa
 hy1720p hy1720b.pdf pdf_icon

HY1720B

HY1720P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 200V/64ARDS(ON)=27m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

Otros transistores... HY1607PM , HY1710P , HY1710M , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , IRF9540N , HY1803C2 , HY1804D , HY1804V , HY1804P , HY1804B , HY1904C2 , HY1904D , HY1904U .

History: AP1R803GMT-HF | QM12N70F | SQ3427AEEV | FRK260H | STL180N4LLF6 | JCS7HN60B | QM07N60F

 

 
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