HY1720B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY1720B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для HY1720B
HY1720B Datasheet (PDF)
hy1720p hy1720b.pdf

HY1720P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 200V/64ARDS(ON)=27m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Другие MOSFET... HY1607PM , HY1710P , HY1710M , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , IRF1010E , HY1803C2 , HY1804D , HY1804V , HY1804P , HY1804B , HY1904C2 , HY1904D , HY1904U .
History: S60N15S | ZXMP6A17GQ | BLP03N10-F | BL4N80A-P | CMT04N60XN252 | 2SK1850 | JCS4N60FB
History: S60N15S | ZXMP6A17GQ | BLP03N10-F | BL4N80A-P | CMT04N60XN252 | 2SK1850 | JCS4N60FB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136