HY1720B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1720B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY1720B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1720B даташит

 ..1. Size:1397K  hymexa
 hy1720p hy1720b.pdf pdf_icon

HY1720B

HY1720P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 200V/64A RDS(ON)=27m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Другие IGBT... HY1607PM, HY1710P, HY1710M, HY1710B, HY1710MF, HY1710PS, HY1710PM, HY1720P, IRF9540N, HY1803C2, HY1804D, HY1804V, HY1804P, HY1804B, HY1904C2, HY1904D, HY1904U