HY1915B Todos los transistores

 

HY1915B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1915B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 263 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 384 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HY1915B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1684K  hymexa
 hy1915p hy1915b.pdf pdf_icon

HY1915B

HY1915P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/85ARDS(ON)=15m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyMotor controlN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor

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History: IXTH12N140 | PMCXB900UE | STU70N2LH5 | APM2309AC | TPCA8102 | CHM5506JGP | RSS090P03FU6TB

 

 
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