HY1915B Todos los transistores

 

HY1915B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1915B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 263 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 384 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de HY1915B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HY1915B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1684K  hymexa
 hy1915p hy1915b.pdf pdf_icon

HY1915B

HY1915P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/85ARDS(ON)=15m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyMotor controlN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor

Otros transistores... HY1908S , HY1908P , HY1908M , HY1908B , HY1908MF , HY1908PS , HY1908PM , HY1915P , 2N7002 , HY1920P , HY1920B , HY1920W , HY19P03D , HY19P03U , HY19P03V , HY19P03P , HY19P03B .

History: SVG083R6NAL5 | DH300P06I | SVG086R0NL5TR | DH300P06E | CSFR6N70F | TSM2N70CP | CEB1186

 

 
Back to Top

 


 
.