HY1915B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY1915B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 263 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 103 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 384 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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HY1915B Datasheet (PDF)
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HY1915P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/85ARDS(ON)=15m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyMotor controlN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor
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