HY1915B - аналоги и даташиты транзистора

 

HY1915B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY1915B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 384 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY1915B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1915B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1684K  hymexa
 hy1915p hy1915b.pdf pdf_icon

HY1915B

HY1915P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/85ARDS(ON)=15m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyMotor controlN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor

Другие MOSFET... HY1908S , HY1908P , HY1908M , HY1908B , HY1908MF , HY1908PS , HY1908PM , HY1915P , 2N7002 , HY1920P , HY1920B , HY1920W , HY19P03D , HY19P03U , HY19P03V , HY19P03P , HY19P03B .

History: IXFK55N50 | IRF7422D2 | IRF737LCPBF | CS5N50 | HM5N50I | IRL2505S | IXFG55N50

 

 
Back to Top

 


 
.