HY1915B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1915B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 384 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HY1915B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1915B даташит

 ..1. Size:1684K  hymexa
 hy1915p hy1915b.pdf pdf_icon

HY1915B

HY1915P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 150V/85A RDS(ON)=15m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply Motor control N-Channel MOSFET Ordering and Marking Infor

Другие IGBT... HY1908S, HY1908P, HY1908M, HY1908B, HY1908MF, HY1908PS, HY1908PM, HY1915P, AO4407A, HY1920P, HY1920B, HY1920W, HY19P03D, HY19P03U, HY19P03V, HY19P03P, HY19P03B