HY1915B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY1915B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 263 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 103 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 384 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO263
HY1915B Datasheet (PDF)
..1. Size:1684K hymexa
hy1915p hy1915b.pdf
hy1915p hy1915b.pdf
HY1915P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/85ARDS(ON)=15m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyMotor controlN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
