HY19P03U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY19P03U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 461 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO251

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HY19P03U datasheet

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HY19P03U

HY19P03 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -30V/-90A RDS(ON)= 4.8m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 6.5m (typ.)@VGS = 4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC converter. P-Channel MOSFET Ordering a

 7.1. Size:744K  hymexa
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HY19P03U

HY19P03P/B P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -30V/-90A RDS(ON)= 4.7m (typ.)@VGS =-10V RDS(ON)= 6.5m (typ.)@VGS =-4.5V S GD 100% avalanche tested Reliable and Rugged GDS Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-263-2L (RoHS Compliant) Applications Switching Application Power Management for DC/DC P-Channel MOSFET Ordering

Otros transistores... HY1908PS, HY1908PM, HY1915P, HY1915B, HY1920P, HY1920B, HY1920W, HY19P03D, BS170, HY19P03V, HY19P03P, HY19P03B, HY3003D, HY3003U, HY3003V, HY3008P, HY3008M