HY19P03U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY19P03U  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 461 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HY19P03U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY19P03U даташит

 ..1. Size:745K  hymexa
 hy19p03d hy19p03u hy19p03v.pdf pdf_icon

HY19P03U

HY19P03 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -30V/-90A RDS(ON)= 4.8m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 6.5m (typ.)@VGS = 4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC converter. P-Channel MOSFET Ordering a

 7.1. Size:744K  hymexa
 hy19p03p hy19p03b.pdf pdf_icon

HY19P03U

HY19P03P/B P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -30V/-90A RDS(ON)= 4.7m (typ.)@VGS =-10V RDS(ON)= 6.5m (typ.)@VGS =-4.5V S GD 100% avalanche tested Reliable and Rugged GDS Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-263-2L (RoHS Compliant) Applications Switching Application Power Management for DC/DC P-Channel MOSFET Ordering

Другие IGBT... HY1908PS, HY1908PM, HY1915P, HY1915B, HY1920P, HY1920B, HY1920W, HY19P03D, CS150N04A8, HY19P03V, HY19P03P, HY19P03B, HY3003D, HY3003U, HY3003V, HY3008P, HY3008M