HY3010B Todos los transistores

 

HY3010B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3010B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HY3010B datasheet

 ..1. Size:406K  hymexa
 hy3010p hy3010b.pdf pdf_icon

HY3010B

HY3010P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/100A RDS(ON)=10m (typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Otros transistores... HY3003V , HY3008P , HY3008M , HY3008B , HY3008MF , HY3008PL , HY3008PM , HY3010P , STF13NM60N , HY3203C2 , HY3208AP , HY3208AM , HY3208AB , HY3208APS , HY3208APM , HY3215P , HY3215M .

 

 

 


 
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