HY3010B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3010B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de HY3010B MOSFET
HY3010B Datasheet (PDF)
hy3010p hy3010b.pdf

HY3010P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description100V/100ARDS(ON)=10m(typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Otros transistores... HY3003V , HY3008P , HY3008M , HY3008B , HY3008MF , HY3008PL , HY3008PM , HY3010P , IRF2807 , HY3203C2 , HY3208AP , HY3208AM , HY3208AB , HY3208APS , HY3208APM , HY3215P , HY3215M .
History: AP6926GMT | FQP10N20 | AP2606GY-HF | APT7F120S | SGSP481
History: AP6926GMT | FQP10N20 | AP2606GY-HF | APT7F120S | SGSP481



Liste
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