Справочник MOSFET. HY3010B

 

HY3010B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3010B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY3010B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3010B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  hymexa
 hy3010p hy3010b.pdf pdf_icon

HY3010B

HY3010P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description100V/100ARDS(ON)=10m(typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

Другие MOSFET... HY3003V , HY3008P , HY3008M , HY3008B , HY3008MF , HY3008PL , HY3008PM , HY3010P , IRF2807 , HY3203C2 , HY3208AP , HY3208AM , HY3208AB , HY3208APS , HY3208APM , HY3215P , HY3215M .

History: 3SK41

 

 
Back to Top

 


 
.