HY3010B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3010B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY3010B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3010B даташит

 ..1. Size:406K  hymexa
 hy3010p hy3010b.pdf pdf_icon

HY3010B

HY3010P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/100A RDS(ON)=10m (typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Другие IGBT... HY3003V, HY3008P, HY3008M, HY3008B, HY3008MF, HY3008PL, HY3008PM, HY3010P, STF13NM60N, HY3203C2, HY3208AP, HY3208AM, HY3208AB, HY3208APS, HY3208APM, HY3215P, HY3215M