HY3208AP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3208AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 539 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO220

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HY3208AP datasheet

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HY3208AP

HY3208AP/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description eatures F 80V/120A RDS(ON)= 5.5 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G TO-3PS-3L TO-3PM-3S Applications Power Management for Inverter

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HY3208AP

HY3208P/M/B/PS/PM Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 80 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range 55 to 175 C - IS Diode Continuous Forward Current TC=25 C 120 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current * T

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HY3208AP

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HY3208AP

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