HY3208AP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3208AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 539 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HY3208AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3208AP даташит

 ..1. Size:1032K  hymexa
 hy3208ap hy3208am hy3208ab hy3208aps hy3208apm.pdf pdf_icon

HY3208AP

HY3208AP/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description eatures F 80V/120A RDS(ON)= 5.5 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G TO-3PS-3L TO-3PM-3S Applications Power Management for Inverter

 8.1. Size:739K  hymexa
 hy3208.pdf pdf_icon

HY3208AP

HY3208P/M/B/PS/PM Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 80 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range 55 to 175 C - IS Diode Continuous Forward Current TC=25 C 120 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current * T

 9.1. Size:1133K  1
 hy3203c2.pdf pdf_icon

HY3208AP

 9.2. Size:1133K  hymexa
 hy3203c2.pdf pdf_icon

HY3208AP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY3008M, HY3008B, HY3008MF, HY3008PL, HY3008PM, HY3010P, HY3010B, HY3203C2, 2N60, HY3208AM, HY3208AB, HY3208APS, HY3208APM, HY3215P, HY3215M, HY3215B, HY3215PS