HY3312PM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3312PM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 125 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO3P

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HY3312PM datasheet

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 hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf pdf_icon

HY3312PM

HY3312P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET F eatures Pin Description 125V/130A RDS(ON)= 7.7 m (typ.) @ VGS=10V S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L (RoHS Compliant) S D G S D pplications G A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

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