Справочник MOSFET. HY3312PM

 

HY3312PM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3312PM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HY3312PM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3312PM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  hymexa
 hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf pdf_icon

HY3312PM

HY3312P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/130ARDS(ON)= 7.7 m(typ.) @ VGS=10VSD 100% avalanche testedGSD G Reliable and Rugged SDG Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L(RoHS Compliant)SDGSDpplications GATO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application

Другие MOSFET... HY3215M , HY3215B , HY3215PS , HY3215PM , HY3312P , HY3312M , HY3312B , HY3312PS , 8N60 , HY3403P , HY3403B , HY3503C2 , HY3606P , HY3606B , HY3704P , HY3704B , HY3708P .

History: 2SK4075 | HGB035N10A | OSG60R900FF | 1N60L-TM3-T | 2SK2365-Z | SSF3092G1 | BSC084P03NS3EG

 

 
Back to Top

 


 
.