HY3606B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3606B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 162 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 857 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO263

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HY3606B datasheet

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HY3606B

HY3606P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/162A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET

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