HY3606B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3606B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 162 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 857 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY3606B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3606B даташит

 ..1. Size:3996K  hymexa
 hy3606p hy3606b.pdf pdf_icon

HY3606B

HY3606P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/162A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET

Другие IGBT... HY3312M, HY3312B, HY3312PS, HY3312PM, HY3403P, HY3403B, HY3503C2, HY3606P, MMIS60R580P, HY3704P, HY3704B, HY3708P, HY3708M, HY3708B, HY3708PS, HY3708PM, HY3712P