HY3704P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3704P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 192 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 176 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 122 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1028 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY3704P
HY3704P Datasheet (PDF)
hy3704p hy3704b.pdf
HY3704P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/176ARDS(ON)= 3.0 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged SGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2LTO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering a
hy3708p hy3708m hy3708b hy3708ps hy3708pm.pdf
HY3708P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETatures Pin DescriptionFe 80V/170ARDS(ON)= 3.8 m(typ.) @ VGS=10VSDGS 100% avalanche testedDGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter S
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