HY3704P Todos los transistores

 

HY3704P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3704P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 176 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1028 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HY3704P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1014K  hymexa
 hy3704p hy3704b.pdf pdf_icon

HY3704P

HY3704P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/176ARDS(ON)= 3.0 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged SGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2LTO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering a

 9.1. Size:1054K  hymexa
 hy3708p hy3708m hy3708b hy3708ps hy3708pm.pdf pdf_icon

HY3704P

HY3708P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETatures Pin DescriptionFe 80V/170ARDS(ON)= 3.8 m(typ.) @ VGS=10VSDGS 100% avalanche testedDGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter S

Otros transistores... HY3312B , HY3312PS , HY3312PM , HY3403P , HY3403B , HY3503C2 , HY3606P , HY3606B , AO4468 , HY3704B , HY3708P , HY3708M , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , HY3712M .

History: GSM6405WS | FDP8878 | IXTJ6N150 | FDP8441F085 | NP90N04NDH | IRFPG42 | IPT026N10N5

 

 
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