Справочник MOSFET. HY3704P

 

HY3704P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3704P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 176 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1028 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY3704P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3704P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1014K  hymexa
 hy3704p hy3704b.pdf pdf_icon

HY3704P

HY3704P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/176ARDS(ON)= 3.0 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged SGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2LTO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering a

 9.1. Size:1054K  hymexa
 hy3708p hy3708m hy3708b hy3708ps hy3708pm.pdf pdf_icon

HY3704P

HY3708P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETatures Pin DescriptionFe 80V/170ARDS(ON)= 3.8 m(typ.) @ VGS=10VSDGS 100% avalanche testedDGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter S

Другие MOSFET... HY3312B , HY3312PS , HY3312PM , HY3403P , HY3403B , HY3503C2 , HY3606P , HY3606B , HY1906P , HY3704B , HY3708P , HY3708M , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , HY3712M .

History: VS6640AC | AFP8931 | IRFH7194 | FDS4080N7 | DH116N08I | HCS70R710ST | IPA90R800C3

 

 
Back to Top

 


 
.