HY3712M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3712M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 339 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HY3712M MOSFET
HY3712M Datasheet (PDF)
hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf

HY3712P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/170ARDS(ON)= 6.3 m(typ.) @ VGS=10VSDG 100% avalanche tested SDGS Reliable and Rugged DGTO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSDDGGTO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3SpplicationsASwitchi
Otros transistores... HY3704P , HY3704B , HY3708P , HY3708M , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , IRF740 , HY3712B , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W , HY3906A , HY3912W , HY3912A , HY4004P .
History: WFP9N20 | KI1912 | NCE65N900D | IXTP32P20T | FSF450R | IRFS630A
History: WFP9N20 | KI1912 | NCE65N900D | IXTP32P20T | FSF450R | IRFS630A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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