Справочник MOSFET. HY3712M

 

HY3712M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3712M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 339 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 125 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 170 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 189 nC
   Время нарастания (tr): 46 ns
   Выходная емкость (Cd): 980 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY3712M

 

 

HY3712M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  hymexa
hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf

HY3712M
HY3712M

HY3712P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/170ARDS(ON)= 6.3 m(typ.) @ VGS=10VSDG 100% avalanche tested SDGS Reliable and Rugged DGTO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSDDGGTO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3SpplicationsASwitchi

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top