HY3712PM Todos los transistores

 

HY3712PM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3712PM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 339 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de HY3712PM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HY3712PM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  hymexa
 hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf pdf_icon

HY3712PM

HY3712P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/170ARDS(ON)= 6.3 m(typ.) @ VGS=10VSDG 100% avalanche tested SDGS Reliable and Rugged DGTO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSDDGGTO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3SpplicationsASwitchi

Otros transistores... HY3708M , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , HY3712M , HY3712B , HY3712PS , IRF540 , HY3906W , HY3906A , HY3912W , HY3912A , HY4004P , HY4004B , HY4008B6 , HY4008P .

History: NTLGF3402PT1G | IXTK120N25P | RSQ035N03TR | HY3906W | AG8N60S | MTM25N10

 

 
Back to Top

 


 
.