HY3712PM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3712PM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 339 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 125 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HY3712PM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3712PM даташит

 ..1. Size:1051K  hymexa
 hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf pdf_icon

HY3712PM

HY3712P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET F eatures Pin Description 125V/170A RDS(ON)= 6.3 m (typ.) @ VGS=10V S D G 100% avalanche tested S D G S Reliable and Rugged D G TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S S D D G G TO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3S pplications A Switchi

Другие IGBT... HY3708M, HY3708B, HY3708PS, HY3708PM, HY3712P, HY3712M, HY3712B, HY3712PS, IRF540N, HY3906W, HY3906A, HY3912W, HY3912A, HY4004P, HY4004B, HY4008B6, HY4008P