HY3912W Todos los transistores

 

HY3912W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3912W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 349 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HY3912W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1229K  hymexa
 hy3912w hy3912a.pdf pdf_icon

HY3912W

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Otros transistores... HY3708PM , HY3712P , HY3712M , HY3712B , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W , HY3906A , IRF640 , HY3912A , HY4004P , HY4004B , HY4008B6 , HY4008P , HY4008M , HY4008B , HY4008PS .

History: AP30P10GH-HF | 4N65G-TMS2-T | 4N65L-TMS2-T | ME7707 | ME7707-G | HY4008B6 | DTM4926

 

 
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