HY3912W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3912W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 349 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 125 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: TO247
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HY3912W datasheet
hy3912w hy3912a.pdf
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Otros transistores... HY3708PM, HY3712P, HY3712M, HY3712B, HY3712PS, HY3712PM, HY3906W, HY3906A, IRFP460, HY3912A, HY4004P, HY4004B, HY4008B6, HY4008P, HY4008M, HY4008B, HY4008PS
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
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