HY3912W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3912W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 349 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de HY3912W MOSFET
HY3912W Datasheet (PDF)
hy3912w hy3912a.pdf
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Otros transistores... HY3708PM , HY3712P , HY3712M , HY3712B , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W , HY3906A , IRFP460 , HY3912A , HY4004P , HY4004B , HY4008B6 , HY4008P , HY4008M , HY4008B , HY4008PS .
History: IPD60R380P6 | UF740L-TQ2-R | IXTA36N30P
History: IPD60R380P6 | UF740L-TQ2-R | IXTA36N30P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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