HY3912W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3912W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 349 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 125 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de HY3912W MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY3912W datasheet

 ..1. Size:1229K  hymexa
hy3912w hy3912a.pdf pdf_icon

HY3912W

! " #$%& $'() * +,-./012,34,5- @/94d2/0 A A e6fgheij9 klRm4nopcUMqmNSsUotguRpejg A _ _a Z[ Y Y _ A kGvJxvJKykzLLGy w G A GJy HGGJKyuHGGKlGQwGT9QJwJxv v G S S D D G G mkE R EMsvJKNo w TO-247A-3L TO-3P-3L 33B,194,5-0 VWXZ[X]_ aZ_YX Y X b C C DEFGHIJKJLGMGKNOEHPKQGHNGHRSTNGMTU 627/2,-89-7 92;,-894,5- DJ JLG E

Otros transistores... HY3708PM, HY3712P, HY3712M, HY3712B, HY3712PS, HY3712PM, HY3906W, HY3906A, IRFP460, HY3912A, HY4004P, HY4004B, HY4008B6, HY4008P, HY4008M, HY4008B, HY4008PS