HY3912W datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HY3912W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 349 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 125 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HY3912W
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HY3912W даташит
hy3912w hy3912a.pdf
! " #$%& $'() * +,-./012,34,5- @/94d2/0 A A e6fgheij9 klRm4nopcUMqmNSsUotguRpejg A _ _a Z[ Y Y _ A kGvJxvJKykzLLGy w G A GJy HGGJKyuHGGKlGQwGT9QJwJxv v G S S D D G G mkE R EMsvJKNo w TO-247A-3L TO-3P-3L 33B,194,5-0 VWXZ[X]_ aZ_YX Y X b C C DEFGHIJKJLGMGKNOEHPKQGHNGHRSTNGMTU 627/2,-89-7 92;,-894,5- DJ JLG E
Другие IGBT... HY3708PM, HY3712P, HY3712M, HY3712B, HY3712PS, HY3712PM, HY3906W, HY3906A, IRFP460, HY3912A, HY4004P, HY4004B, HY4008B6, HY4008P, HY4008M, HY4008B, HY4008PS
History: GSM7619WS | GSM7002W
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494

