HY4903B6 Todos los transistores

 

HY4903B6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY4903B6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 268 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 314 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1226 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-6L
 

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HY4903B6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  hymexa
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HY4903B6

HY4903B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/314A RDS(ON)= 1.3m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 1.7m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive

 7.1. Size:696K  hymexa
 hy4903p hy4903b.pdf pdf_icon

HY4903B6

HY4903P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/290ARDS(ON)=1.6m(typ.) @VGS = 10V 100% avalanche tested Excellent CdV/dt effect declineSGD Device Available GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP BP : TO-220FB-3L

Otros transistores... HY4306B , HY4504B6 , HY4504P , HY4504B , HY4504W , HY4504A , HY4903P , HY4903B , K3569 , HY5110W , HY5110A , HY5204W , HY5204A , HY5208W , HY5208A , HY5608W , HY5608A .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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