HY4903B6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY4903B6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 268 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 314 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1226 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: TO263-6L

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HY4903B6 datasheet

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HY4903B6

HY4903B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/314A RDS(ON)= 1.3m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 1.7m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive

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HY4903B6

HY4903P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/290A RDS(ON)=1.6m (typ.) @VGS = 10V 100% avalanche tested Excellent CdV/dt effect decline S GD Device Available GDS TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code P B P TO-220FB-3L

Otros transistores... HY4306B, HY4504B6, HY4504P, HY4504B, HY4504W, HY4504A, HY4903P, HY4903B, IRF9540, HY5110W, HY5110A, HY5204W, HY5204A, HY5208W, HY5208A, HY5608W, HY5608A