HY4903B6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY4903B6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 268 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 314 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 269 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1226 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY4903B6

HY4903B6 Datasheet (PDF)

..1. Size:664K hymexa
hy4903b6.pdf

HY4903B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/314A RDS(ON)= 1.3m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 1.7m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive

7.1. Size:696K hymexa
hy4903p hy4903b.pdf

HY4903P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/290ARDS(ON)=1.6m(typ.) @VGS = 10V 100% avalanche tested Excellent CdV/dt effect declineSGD Device Available GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP BP : TO-220FB-3L

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Liste

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