HY4903B6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY4903B6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 314 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1226 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TO263-6L

Аналог (замена) для HY4903B6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4903B6 даташит

 ..1. Size:664K  hymexa
 hy4903b6.pdf pdf_icon

HY4903B6

HY4903B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/314A RDS(ON)= 1.3m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 1.7m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive

 7.1. Size:696K  hymexa
 hy4903p hy4903b.pdf pdf_icon

HY4903B6

HY4903P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/290A RDS(ON)=1.6m (typ.) @VGS = 10V 100% avalanche tested Excellent CdV/dt effect decline S GD Device Available GDS TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code P B P TO-220FB-3L

Другие IGBT... HY4306B, HY4504B6, HY4504P, HY4504B, HY4504W, HY4504A, HY4903P, HY4903B, IRF9540, HY5110W, HY5110A, HY5204W, HY5204A, HY5208W, HY5208A, HY5608W, HY5608A