Справочник MOSFET. HY4903B6

 

HY4903B6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY4903B6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 314 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1226 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO263-6L
 

 Аналог (замена) для HY4903B6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4903B6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  hymexa
 hy4903b6.pdf pdf_icon

HY4903B6

HY4903B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/314A RDS(ON)= 1.3m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 1.7m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive

 7.1. Size:696K  hymexa
 hy4903p hy4903b.pdf pdf_icon

HY4903B6

HY4903P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/290ARDS(ON)=1.6m(typ.) @VGS = 10V 100% avalanche tested Excellent CdV/dt effect declineSGD Device Available GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP BP : TO-220FB-3L

Другие MOSFET... HY4306B , HY4504B6 , HY4504P , HY4504B , HY4504W , HY4504A , HY4903P , HY4903B , K3569 , HY5110W , HY5110A , HY5204W , HY5204A , HY5208W , HY5208A , HY5608W , HY5608A .

History: MPF930 | QM2415SN8 | SFF044J | NCE70T540 | VS3610AI | WMM30N65EM | PSMN0R7-25YLD

 

 
Back to Top

 


 
.