HY5110W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY5110W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 316 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 356 nC
Tiempo de subida (tr): 49 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1558 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY5110W
HY5110W Datasheet (PDF)
hy5110w hy5110a.pdf
HY5110W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/316A2.1 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking InformationPackage CodeW AW
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