HY5110W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY5110W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 316 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1558 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO247

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HY5110W datasheet

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HY5110W

HY5110W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/316A 2.1 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S D D G G TO-247-3L TO-3P-3L Applications D Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking Information Package Code W A W

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