HY5110W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY5110W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 316 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1558 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HY5110W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5110W даташит

 ..1. Size:2766K  hymexa
 hy5110w hy5110a.pdf pdf_icon

HY5110W

HY5110W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/316A 2.1 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S D D G G TO-247-3L TO-3P-3L Applications D Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking Information Package Code W A W

Другие IGBT... HY4504B6, HY4504P, HY4504B, HY4504W, HY4504A, HY4903P, HY4903B, HY4903B6, AON7408, HY5110A, HY5204W, HY5204A, HY5208W, HY5208A, HY5608W, HY5608A, HYG018N10NS1B6