Справочник MOSFET. HY5110W

 

HY5110W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5110W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 316 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1558 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5110W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2766K  hymexa
 hy5110w hy5110a.pdf pdf_icon

HY5110W

HY5110W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/316A2.1 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking InformationPackage CodeW AW

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HCD65R2K7 | HM8N20K | 2SK2715TL | RJK1211DNS | HSW6604 | G10N10 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.