HY5204W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY5204W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 348 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2036 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: TO247

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HY5204W datasheet

 ..1. Size:762K  hymexa
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HY5204W

HY5204W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S S D D G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information

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HY5204W

HY5208W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/320A 1.7 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D (RoHS Compliant) D G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

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