Справочник MOSFET. HY5204W

 

HY5204W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5204W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 348 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2036 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HY5204W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5204W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  hymexa
 hy5204w hy5204a.pdf pdf_icon

HY5204W

HY5204W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description S S D DGGTO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information

 9.1. Size:656K  hymexa
 hy5208w hy5208a.pdf pdf_icon

HY5204W

HY5208W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/320A1.7RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSD(RoHS Compliant)DGGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

Другие MOSFET... HY4504B , HY4504W , HY4504A , HY4903P , HY4903B , HY4903B6 , HY5110W , HY5110A , 12N60 , HY5204A , HY5208W , HY5208A , HY5608W , HY5608A , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P , HYG020N04NA1B .

History: SIJ478DP | STW56N65M2-4 | 11NM70G-TF1-T | UT100N03G-TF3-T | 4N60B | APM4828KC-TRL | STS5NF60L

 

 
Back to Top

 


 
.