HY5204W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY5204W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 348 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2036 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HY5204W
HY5204W Datasheet (PDF)
hy5204w hy5204a.pdf

HY5204W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description S S D DGGTO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information
hy5208w hy5208a.pdf

HY5208W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/320A1.7RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSD(RoHS Compliant)DGGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Другие MOSFET... HY4504B , HY4504W , HY4504A , HY4903P , HY4903B , HY4903B6 , HY5110W , HY5110A , SKD502T , HY5204A , HY5208W , HY5208A , HY5608W , HY5608A , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P , HYG020N04NA1B .
History: FQP18N20V2 | HYG020N04NA1P | BLP028N10-P | P8315AD | HSM3305 | HYG020N04NA1B | SFF20N60N
History: FQP18N20V2 | HYG020N04NA1P | BLP028N10-P | P8315AD | HSM3305 | HYG020N04NA1B | SFF20N60N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971