HY5204A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY5204A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 348 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2036 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de HY5204A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY5204A datasheet

 ..1. Size:762K  hymexa
 hy5204w hy5204a.pdf pdf_icon

HY5204A

HY5204W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S S D D G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information

 9.1. Size:656K  hymexa
 hy5208w hy5208a.pdf pdf_icon

HY5204A

HY5208W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/320A 1.7 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D (RoHS Compliant) D G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Otros transistores... HY4504W, HY4504A, HY4903P, HY4903B, HY4903B6, HY5110W, HY5110A, HY5204W, 2N7002, HY5208W, HY5208A, HY5608W, HY5608A, HYG018N10NS1B6, HYG020N04NA1P, HYG020N04NA1B, HYG020N04NA1PL