HY5204A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY5204A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 348 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 231 nC
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2036 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: TO3P
HY5204A Datasheet (PDF)
hy5204w hy5204a.pdf
HY5204W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description S S D DGGTO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information
hy5208w hy5208a.pdf
HY5208W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/320A1.7RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSD(RoHS Compliant)DGGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918