HY5208A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY5208A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 416 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 320 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 298 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY5208A
HY5208A Datasheet (PDF)
hy5208w hy5208a.pdf
HY5208W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/320A1.7RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSD(RoHS Compliant)DGGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code
hy5204w hy5204a.pdf
HY5204W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description S S D DGGTO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information
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