HY5208A Todos los transistores

 

HY5208A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY5208A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de HY5208A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HY5208A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  hymexa
 hy5208w hy5208a.pdf pdf_icon

HY5208A

HY5208W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/320A1.7RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSD(RoHS Compliant)DGGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

 9.1. Size:762K  hymexa
 hy5204w hy5204a.pdf pdf_icon

HY5208A

HY5204W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description S S D DGGTO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information

Otros transistores... HY4903P , HY4903B , HY4903B6 , HY5110W , HY5110A , HY5204W , HY5204A , HY5208W , IRF4905 , HY5608W , HY5608A , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P , HYG020N04NA1B , HYG020N04NA1PL , HYG023N03LR1D , HYG023N03LR1U .

History: FDS4465-NL-9 | 2SK2825 | SI4833BDY | AP9998GI-HF

 

 
Back to Top

 


 
.