Справочник MOSFET. HY5208A

 

HY5208A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY5208A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 298 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для HY5208A

 

 

HY5208A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  hymexa
 hy5208w hy5208a.pdf

HY5208A HY5208A

HY5208W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/320A1.7RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSD(RoHS Compliant)DGGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

 9.1. Size:762K  hymexa
 hy5204w hy5204a.pdf

HY5208A HY5208A

HY5204W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description S S D DGGTO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top