Справочник MOSFET. HY5208A

 

HY5208A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5208A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HY5208A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5208A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  hymexa
 hy5208w hy5208a.pdf pdf_icon

HY5208A

HY5208W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/320A1.7RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSD(RoHS Compliant)DGGTO-247A-3LTO-3P-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Code

 9.1. Size:762K  hymexa
 hy5204w hy5204a.pdf pdf_icon

HY5208A

HY5204W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description S S D DGGTO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information

Другие MOSFET... HY4903P , HY4903B , HY4903B6 , HY5110W , HY5110A , HY5204W , HY5204A , HY5208W , IRF4905 , HY5608W , HY5608A , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P , HYG020N04NA1B , HYG020N04NA1PL , HYG023N03LR1D , HYG023N03LR1U .

History: 2SK3433-S | 2SK3337W | BSP603S2L | STW10NK60Z | 2SK2682LS

 

 
Back to Top

 


 
.