HY5608W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY5608W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 360 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 47 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1714 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
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HY5608W Datasheet (PDF)
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HY5608W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/360ARDS(ON)= 1.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar
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