HY5608W Todos los transistores

 

HY5608W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY5608W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1714 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HY5608W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  hymexa
 hy5608w hy5608a.pdf pdf_icon

HY5608W

HY5608W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/360ARDS(ON)= 1.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar

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History: 2SK187 | CEF12N6 | SVS80R430FJHE3 | PMDPB56XN | PMN120ENE | IXFT60N20 | YJQ40G10A

 

 
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