Справочник MOSFET. HY5608W

 

HY5608W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5608W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1714 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HY5608W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5608W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  hymexa
 hy5608w hy5608a.pdf pdf_icon

HY5608W

HY5608W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/360ARDS(ON)= 1.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar

Другие MOSFET... HY4903B , HY4903B6 , HY5110W , HY5110A , HY5204W , HY5204A , HY5208W , HY5208A , 5N60 , HY5608A , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P , HYG020N04NA1B , HYG020N04NA1PL , HYG023N03LR1D , HYG023N03LR1U , HYG023N03LR1V .

History: AOD418 | WFP10N60 | PZ5S6JZ | IRHMJ57260SE | SIR408DP | RSR025N03FRA | SM2054NSV

 

 
Back to Top

 


 
.