HY5608A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY5608A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1714 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO3P

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HY5608A datasheet

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HY5608A

HY5608W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/360A RDS(ON)= 1.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D D G G (RoHS Compliant) TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N Channel MOSFET Ordering and Mar

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