HY5608A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY5608A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 360 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 365 nC
   Tiempo de subida (tr): 47 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1714 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY5608A

HY5608A Datasheet (PDF)

..1. Size:690K hymexa
hy5608w hy5608a.pdf

HY5608W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/360ARDS(ON)= 1.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: KIA2910A-3P

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: