HY5608A - аналоги и даташиты транзистора

 

HY5608A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY5608A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1714 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HY5608A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5608A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  hymexa
 hy5608w hy5608a.pdf pdf_icon

HY5608A

HY5608W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/360ARDS(ON)= 1.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar

Другие MOSFET... HY4903B6 , HY5110W , HY5110A , HY5204W , HY5204A , HY5208W , HY5208A , HY5608W , AO3401 , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P , HYG020N04NA1B , HYG020N04NA1PL , HYG023N03LR1D , HYG023N03LR1U , HYG023N03LR1V , HYG025N06LS1C2 .

History: HYG020N04NA1B | PDM6T20V3 | 2N7002PS | 2SJ225 | IRHNM57214SE | SSF6NS70UGS | SFB063N80C3

 

 
Back to Top

 


 
.