HY5608A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY5608A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1714 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HY5608A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5608A даташит

 ..1. Size:690K  hymexa
 hy5608w hy5608a.pdf pdf_icon

HY5608A

HY5608W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/360A RDS(ON)= 1.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D D G G (RoHS Compliant) TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N Channel MOSFET Ordering and Mar

Другие IGBT... HY4903B6, HY5110W, HY5110A, HY5204W, HY5204A, HY5208W, HY5208A, HY5608W, AO3401, HYG018N10NS1B6, HYG020N04NA1P, HYG020N04NA1B, HYG020N04NA1PL, HYG023N03LR1D, HYG023N03LR1U, HYG023N03LR1V, HYG025N06LS1C2