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HYG018N10NS1B6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG018N10NS1B6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 322 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-6L
 

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HYG018N10NS1B6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  hymexa
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HYG018N10NS1B6

HYG018N10NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/322A RDS(ON)=1.4m(typ.)@VGS=10V 100% Avalanche Tested Pin 7 Reliable and Rugged Halogen-Free and Green Devices Available Pin 1 Pin1(RoHS Compliant) TO-263-6L TO-263-6L Applications Energy Storage Pin 1 Battery Protection Battery Operated Tools Pin 2

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 hyg017n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG017N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/135A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.7m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.3m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

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 hyg015n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG015N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

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 hyg013n03ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG013N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.3m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

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History: MDU5693VRH | PK608DY | APM7318KC

 

 
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