HYG018N10NS1B6 Todos los transistores

 

HYG018N10NS1B6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG018N10NS1B6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 322 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HYG018N10NS1B6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  hymexa
 hyg018n10ns1b6.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG018N10NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/322A RDS(ON)=1.4m(typ.)@VGS=10V 100% Avalanche Tested Pin 7 Reliable and Rugged Halogen-Free and Green Devices Available Pin 1 Pin1(RoHS Compliant) TO-263-6L TO-263-6L Applications Energy Storage Pin 1 Battery Protection Battery Operated Tools Pin 2

 9.1. Size:625K  1
 hyg017n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG017N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/135A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.7m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.3m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

 9.2. Size:638K  1
 hyg015n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG015N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

 9.3. Size:706K  1
 hyg013n03ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG013N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.3m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLP042N10G-P | FQA5N90 | FQA11N90CF109

 

 
Back to Top

 


 
.